64 Gb/s O-Band GeSi Quantum-Confined Stark Effect Electro-Absorption Modulators Integrated in a 300 mm Silicon Photonics Platform

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标题	64 Gb/s O-Band GeSi Quantum-Confined Stark Effect Electro-Absorption Modulators Integrated in a 300 mm Silicon Photonics Platform
网址	http://dx.doi.org/10.1109/jlt.2024.3505957
DOI	10.1109/jlt.2024.3505957 doi
其它	期刊：Journal of Lightwave Technology 作者：Ahmed Kandeel; Gaspard Hiblot; Clement Porret; Srinivasan Ashwyn Srinivasan; Yosuke Shimura; et al 出版日期：2025-03-15
求助人	Kiyuo 在 2026-11-03 23:42:24 发布自湖北，悬赏 10 积分
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