The Impact of Strain Relaxation on the Hole Mobility in Biaxially Strained-Ge/SiGe pMOSFETs

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标题	The Impact of Strain Relaxation on the Hole Mobility in Biaxially Strained-Ge/SiGe pMOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3657331
DOI	10.1109/ted.2026.3657331 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ke Zhou; Ruocheng Yang; Lingfeng Zhu; Wenhao Zhang; Dawei Gao; et al 出版日期：2026-03-01
求助人	无风风在 2026-10-26 18:37:04 发布自北京，悬赏 10 积分
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