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  Monolithically integrating polarization-doped InGaN p-FET and GaN n-FET for complementary logic circuitry 相关领域
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期刊：Sci Adv 作者：Yu J, Li T, Lao Y, Yang J, Cui J, Liu S, Yang H, Yin Y, Wang M, Yang X, Chen KJ, Shen B, Wei J 出版日期：2026-08-07 |
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