3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance

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标题	3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/16/10645717/10623598.pdf...
DOI	10.1109/ted.2024.3435181 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyrylo Melnyk; Arne Benjamin Renz; Qinze Cao; Peter Michael Gammon; Neophytos Lophitis; et al 出版日期：2024-08-06
求助人	stc 在 2026-10-03 16:51:05 发布自安徽，悬赏 10 积分
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