Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices

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标题	Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/acdae0
DOI	10.1088/1361-6463/acdae0 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：H. García; G. Vinuesa; E. García-Ochoa; F. Aguirre; M. B. González; et al 出版日期：2023-06-02
求助人	玄枵在 2026-10-28 22:23:43 发布自四川，悬赏 10 积分
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