Effects of SiO2 cap annealing on MOS interfaces formed on Mg-doped p-type GaN surface

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标题	Effects of SiO2 cap annealing on MOS interfaces formed on Mg-doped p-type GaN surface
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad750d
DOI	10.35848/1347-4065/ad750d doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yining Jiao; Masanobu Takahashi; Taketomo Sato; Masamichi Akazawa 出版日期：2024-09-02
求助人	路漫漫其修远兮在 2026-10-17 14:00:51 发布自吉林，悬赏 10 积分
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