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 Improved positive bias temperature instability of n-type vertical C-shaped-channel nanosheet FET by forming gas annealing 相关领域
纳米片
不稳定性
退火（玻璃）
材料科学
形成气体
光电子学
纳米技术
复合材料
机械
物理
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Yunfei Shi; Songyi Jiang; Hong Yang; Yongkui Zhang; Longda Zhou; et al 出版日期：2025-05-16 |
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