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Breaking the Theoretical Limit of 6.5 kV-Class 4H-SiC Super-Junction (SJ) MOSFETs by Trench-Filling Epitaxial Growth |
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期刊:2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Ryoji Kosugi; Shiyang Ji; Kazuhiro Mochizuki; Kohei Adachi; Satoshi Segawa; et al 出版日期:2019-07-12 |
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