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标题
A novel p-GaN HEMT with superjunction silicon substrate for improved current collapse
用于改善电流崩溃的新型超结硅衬底p-GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 基质（水族馆） 材料科学 光电子学 硅 电气工程 工程类 生物 晶体管 电压 生态学
网址
https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208102
DOI
10.1016/j.micrna.2025.208102 doi
其它 期刊：Micro and Nanostructures
作者：Boyuan Feng; Ying Wang; Cheng‐Hao Yu; Haomin Guo
出版日期：2025-02-14
求助人
Timothy 在 2025-12-04 17:57:15 发布自江西，悬赏 10 积分
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