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 Mechanism of selective SiO2/Si etching with fluorocarbon gases (CF4, C4F8) and hydrogen mixture in electron cyclotron resonance plasma etching system 电子回旋共振等离子体刻蚀体系中氟碳气体（CF4，C4F8）和氢气混合物选择性刻蚀SiO2/Si的机理
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氟碳化合物
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Hyun-Ho Doh; Junghun Kim; Seok-Hyun Lee; Ki‐Woong Whang 出版日期：1996-09-01 |
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