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  Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment 双（三氟甲烷）磺酰胺后处理改善InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的电性能
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
跨导
晶体管
电子迁移率
电子
电压
电气工程
量子力学
物理
工程类
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| 其它 |
期刊：Crystals 作者：Siheng Chen; Peng Cui; Mingsheng Xu; Zhaojun Lin; Xiangang Xu; et al 出版日期：2022-10-26 |
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