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Enhanced Electrical Performance and Bias Stability of a-IGZO Thin-Film Transistor by Ultrasonicated Pre-annealing 超声预退火增强a-IGZO薄膜晶体管的电学性能和偏置稳定性
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
退火(玻璃)
阈值电压
晶体管
无定形固体
光电子学
氧化物
氧化物薄膜晶体管
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电压
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期刊:Korean Journal of Metals and Materials 作者:Jae‐Yun Lee; Suchang Yoo; Hanlin Zhao; Seong Gon Choi; Heung Gyoon Ryu; et al 出版日期:2022-03-30 |
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