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 Study of Endurance Performance of SiO2 Interfacial Layer Scaling Through O Scavenging in Si Channel n-FeFET With Si:HfO2 Ferroelectric Layer 含Si：HfO2铁电层的Si沟道n-FeFET中SiO2界面层结垢耐受性能研究
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：A. Agarwal; A. Walke; N. Ronchi; Kuo-Hsing Kao; Jan Van Houdt 出版日期：2024-06-14 |
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