Properties of SiO2 Thin Films Deposited by Atomic Layer Deposition in relation to Growth Temperature

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标题	Properties of SiO2 Thin Films Deposited by Atomic Layer Deposition in relation to Growth Temperature 原子层沉积SiO2薄膜与生长温度的关系相关领域原子层沉积图层（电子）沉积（地质）材料科学薄膜逐层关系（数据库）纳米技术计算机科学地质学沉积物数据库古生物学
网址	https://doi.org/10.3938/npsm.73.23
DOI	10.3938/npsm.73.23 doi
其它	期刊：New Physics Sae Mulli 作者：Geon Park; nbsp Inseo Kim; nbsp Hojung Sun; nbsp Yongjei Lee; nbsp Kimoon Lee; et al 出版日期：2023-01-31
求助人	ss 在 2025-12-10 21:09:45 发布自广东，悬赏 10 积分
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