| 标题 |
 Formation and stability of ammonium fluorosilicate during etching of SiN x in CH2F2/Ar and SF6/H2 plasmas CH2F2/Ar和SF6/H2等离子体刻蚀SiN x过程中氟硅酸铵的形成和稳定性
相关领域
蚀刻（微加工）
化学
基质（水族馆）
反应离子刻蚀
离子
分析化学（期刊）
偏压
图层（电子）
等离子体刻蚀
干法蚀刻
铵
等离子体
腐蚀坑密度
无机化学
红外光谱学
红外线的
各向同性腐蚀
分解
反射（计算机编程）
感应耦合等离子体
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Xue Wang; Md Tanzid Hossain; Prabhat Kumar; Thorsten Lill; Mingmei Wang; et al 出版日期：2025-12-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Nole
cdercder
馨馨的科科
DOC_XIONG
xing_xing
aaaa
奔跑
zack6119
共产主义战士
Viper
学术文献互助
OK
初景
sagitar
Dean
GingerF
善良紫南
一只鱼
十有五
皖公网安备34019202002308
