Simultaneous improvement of high-frequency and Baliga figures of merit of 1.7 kV 4H-SiC MOSFET with retrograded JFET doping

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标题	Simultaneous improvement of high-frequency and Baliga figures of merit of 1.7 kV 4H-SiC MOSFET with retrograded JFET doping
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad32a8
DOI	10.1088/1361-6463/ad32a8 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：Qian Wang; Hao Hua; Li Zheng; Junhong Feng; Cheng Zhang; et al 出版日期：2024
求助人	笑点低从凝在 2026-03-15 21:07:04 发布自陕西，悬赏 10 积分
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