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A -Doped InGaP/InGaAs pHEMT With Different Doping Profiles for Device-Linearity Improvement |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Yueh-Chin Lin; Edward Yi Chang; Hiroshi Yamaguchi; Wei-Cheng Wu; Chun-Yen Chang 出版日期:2007-06-29 |
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