High Power Figure‐of‐Merit, 10.6‐kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub‐100‐µm Anode‐to‐Cathode Spacing

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标题	High Power Figure‐of‐Merit, 10.6‐kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub‐100‐µm Anode‐to‐Cathode Spacing
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/smll.2021073...
DOI	10.1002/smll.202107301 doi
其它	期刊：Small 作者：Ru Xu; Peng Chen; Jing Zhou; Yimeng Li; Yuyin Li; et al 出版日期：2022-07-23
求助人	hehe 在 2026-03-18 18:11:47 发布自广东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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