1S1R Resistive Switching of Pt/NbOx/Pt Memristive Devices Achieved by Intercalating Nb Thin Layer and Annealing

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标题	专利、报告等 1S1R Resistive Switching of Pt/NbOx/Pt Memristive Devices Achieved by Intercalating Nb Thin Layer and Annealing
网址	https://doi.org/10.2139/ssrn.6573466
DOI	10.2139/ssrn.6573466 doi
其它	期刊：作者：Gengrui Zeng; Pengbo Gao; Siheng Wu; Rui Xiong; Guokun Ma; et al 出版日期：2026-04-14
求助人	wenduoxu 在 2026-07-19 23:56:46 发布自湖北，悬赏 10 积分
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