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On the suitability of hBN as an insulator for 2D material-based ultrascaled CMOS devices
相关领域
材料科学 纳米电子学 CMOS芯片 绝缘体（电） 晶体管 半导体 MOSFET 纳米技术 光电子学 电子线路 绝缘体上的硅 工程物理 电压 电气工程 硅 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.1038/s41928-020-00529-x
AI链接 arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1038/s41928-020-00529-x doi
其它 期刊：Cornell University - arXiv
作者：Theresia Knobloch; Yu. Yu. Illarionov; Fabian Ducry; Christian Schleich; Stefan Wachter; et al
出版日期：2020-08-10
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玄鸟纸鸢 在 2025-10-24 14:14:10 发布自湖南，悬赏 10 积分
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