Fabrication of crack-free strained SiGe/Ge multiple quantum wells on Ge-on-Si(111) by the patterning method

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标题	Fabrication of crack-free strained SiGe/Ge multiple quantum wells on Ge-on-Si(111) by the patterning method 图案化法制备Ge-on-Si（111）上无裂纹应变SiGe/Ge多量子阱相关领域材料科学制作量子阱锗光电子学硅锗硅工程物理光学工程类医学激光器物理替代医学病理
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108300
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108300 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Rena Kanesawa; Shuya Kikuoka; Yusuke Shibahara; Youya Wagatsuma; M. Yamada; et al 出版日期：2024-03-23
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