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 Oxide reliability of drain engineered I/O NMOS from hot carrier injection 相关领域
NMOS逻辑
氧化物
材料科学
随时间变化的栅氧化层击穿
栅氧化层
光电子学
介电强度
降级（电信）
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电介质
热载流子注入
MOSFET
压力（语言学）
电气工程
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuhao Luo; Deepak Kumar Nayak; Daniel Gitlin; Ming-Yin Hao; Chia-Hung Kao; et al 出版日期：2003-11-01 |
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