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[高分]
 High-current, planar-doped pseudomorphic hemts Ga0.4In0.6As/Al0.48In0.52As HEMTs 高电流平面掺杂假晶HEMTs Ga0.4In 0.6 As/Al0.48In0.52As HEMTs
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期刊：Electronics Letters 作者：A. Fathimulla; H. Hier; J.R. ABRAHAMS 出版日期：1988-05-26 |
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