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标题
Reliability Comparison of Commercial Planar and Trench 4H-SiC Power MOSFETs
商用平面型和沟槽型4H-SiC功率MOSFET的可靠性比较
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿 材料科学 MOSFET 沟槽 栅氧化层 光电子学 功率MOSFET 可靠性（半导体） 击穿电压 负偏压温度不稳定性 电气工程 平面的 碳化硅 阈值电压 介电强度 电压 电介质 功率（物理） 工程类 计算机科学 纳米技术 复合材料 物理 晶体管 计算机图形学（图像） 量子力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117998
DOI
10.1109/irps48203.2023.10117998 doi
其它 期刊：
作者：Shengnan Zhu; Limeng Shi; Michael Jin; Jiashu Qian; Monikuntala Bhattacharya; et al
出版日期：2023-03-01
求助人
徐一一 在 2025-07-23 14:39:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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