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Charge Plasma Dopingless Device: Boosting High-Frequency Performance with Germanium and Hetero Dielectric Gate 电荷等离子体无掺杂器件:用锗和异质介质栅极提高高频性能
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期刊:Semiconductors 作者:Jyotsana Singh; R. K. Chauhan 出版日期:2024-09-01 |
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