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标题
Benefit of H2 surface pretreatment for 4H-SiC oxynitridation using N2O and rapid thermal processing steps
网址
DOI
10.1063/1.3077016 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:A. Constant; N. Camara; P. Godignon; J. Camassel
出版日期:2009-02-09
求助人
朴实的乐蕊 在 2026-06-26 16:03:42 发布自上海,悬赏 10 积分
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