Ambipolar MoS2 Field Effect Transistors with Negative Photoconductivity and High Responsivity Using an Ultrathin Epitaxial Ferroelectric Gate

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标题	Ambipolar MoS2 Field Effect Transistors with Negative Photoconductivity and High Responsivity Using an Ultrathin Epitaxial Ferroelectric Gate
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202402185
DOI	10.1002/adfm.202402185 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yanxiao Sun; Yankun Wang; Zhe Wang; Luyue Jiang; Zhenfei Hou; et al 出版日期：2024-03-25
求助人	joyyyang 在 2026-09-01 11:34:19 发布自北京，悬赏 10 积分
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