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  Non-volatile memories based on patterned metal–semiconductor heterostructures of niobium disulfide and molybdenum disulfide 相关领域
二硫化钼
异质结
材料科学
光电子学
铌
晶体管
薄脆饼
制作
纳米技术
化学气相沉积
氧化物
半导体
薄膜晶体管
钼
过渡金属
氧化铌
纳米电子学
可扩展性
非易失性存储器
进程窗口
场效应晶体管
单层
CMOS芯片
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期刊：Nature electronics 作者：Zhenyu Wang; Guilherme Migliato Marega; Eloi Collette; Mukesh Tripathi; Hyun Goo Ji; et al 出版日期：2026-05-19 |
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