Dry etching fin process for SOI finFET manufacturing: Transition from 32 to 22nm node on a 6T-SRAM cell

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标题	Dry etching fin process for SOI finFET manufacturing: Transition from 32 to 22nm node on a 6T-SRAM cell 相关领域鳍绝缘体上的硅静态随机存取存储器节点（物理）干法蚀刻蚀刻（微加工）材料科学光电子学过程（计算）纳米技术工程物理硅计算机科学电气工程工程类复合材料操作系统结构工程图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.001
DOI	10.1016/j.mee.2011.03.001 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：Efrain Altamirano Sánchez; Vasile Paraschiv; M. Demand; Werner Boullart 出版日期：2011-03-08
求助人	果子在 2025-09-29 14:36:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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