Stability of VTH and RON in p‐GaN Schottky‐Gate AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors under Reverse and Gate Bias Stress: Impact of Gate Offset

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标题	Stability of VTH and RON in p‐GaN Schottky‐Gate AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors under Reverse and Gate Bias Stress: Impact of Gate Offset 反向和栅极偏压下p-GaN肖特基栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管VTH和RON的稳定性：栅极偏移的影响相关领域光电子学材料科学晶体管肖特基二极管高电子迁移率晶体管压力（语言学）电子迁移率反向偏压宽禁带半导体肖特基势垒凝聚态物理物理电压量子力学语言学哲学二极管
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202401012
DOI	10.1002/pssa.202401012 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Chao Feng; Xuan Liu; Haiyang Li; Danfeng Mao; Junye Wu; et al 出版日期：2025-03-09
求助人	liuchuck 在 2025-06-06 17:36:40 发布自中国，悬赏 10 积分
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