Advanced physical modeling approaches for high-precision TCAD simulation of GaN HEMT power devices: a review

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标题	Advanced physical modeling approaches for high-precision TCAD simulation of GaN HEMT power devices: a review
网址	http://dx.doi.org/10.1186/s11671-026-04571-0
DOI	10.1186/s11671-026-04571-0 doi
其它	期刊：Discover Nano 作者：Haocheng Zhao; Amirul Firdaus; Muhammad Farizuan; Weng-Hooi Tan; Hiroshi Kawarada; et al 出版日期：2026-04-30
求助人	zlren 在 2026-10-13 15:15:01 发布自美国，悬赏 10 积分
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