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Influence of Gate Oxide and Subthreshold Leakage in Domino Using Si Nano-Materials

材料科学 泄漏(经济) 晶体管 阈下传导 逆变器 CMOS芯片 光电子学 栅氧化层 电气工程 电压 工程类 经济 宏观经济学
作者
Tarun Kumar Gupta,Amit Kumar Pandey,Digvijay Pandey
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (16): 6901-6910 被引量:4
标识
DOI:10.1007/s12633-023-02555-8
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