Room temperature deposition of IWO electrodes on Spiro-OMeTAD without buffer layers for Semi-transparent perovskite solar cells

材料科学 钙钛矿(结构) 电极 沉积(地质) 光电子学 缓冲器(光纤) 太阳能电池 化学工程 化学 电气工程 沉积物 生物 工程类 物理化学 古生物学
作者
Chao Song,Yan Zhu,Rujie Zhang,Liping Zhang,Weijie Du,Zhengxin Liu,Yiwen Zhang
出处
期刊:Materials Letters [Elsevier BV]
卷期号:347: 134612-134612 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.matlet.2023.134612
摘要

A low-damage approach to fabricate high-quality W-doped In2O3 (IWO) films as transparent electrodes for semi-transparent perovskite solar cells was developed by the use of a reactive plasma deposition (RPD) equipment. IWO films were directly deposited on Spiro-OMeTAD by RPD at room temperature. The high O2 flux can be effectively reduce the resistance at the IWO/Spiro-OMeTAD interface, resulting in the improved solar cell performance. The maximum efficiency of the IWO-based perovskite solar cells was 16.5%, comparable to that of conventional Ag electrode solar cells. This demonstrates that the deposition of TCO-based electrodes without protective buffer layers is available by RPD.
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