Defect‐free Nano‐welding of Bilayer SnSe Nanoplates

材料科学 范德瓦尔斯力 双层 扫描隧道显微镜 单层 纳米技术 石墨烯 双层石墨烯 光电子学 分子 遗传学 生物 有机化学 化学
作者
Jing‐Rong Ji,John W. Villanova,Salvador Barraza‐Lopez,S. Parkin,Kai Chang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
被引量:2
标识
DOI:10.1002/adma.202312199
摘要

Nanowelding is a bottom-up technique to create custom-designed nanostructures and devices beyond the precision of lithographic methods. Here, a new technique is reported based on anisotropic lubricity at the van der Waals interface between monolayer and bilayer SnSe nanoplates and a graphene substrate to achieve precise control of the crystal orientation and the interface during the welding process. As-grown SnSe monolayer and bilayer nanoplates are commensurate with graphene's armchair direction but lack commensuration along graphene's zigzag direction, resulting in a reduced friction along that direction and a rail-like, 1D movement that permits joining nanoplates with high precision. This way, molecular beam epitaxially grown SnSe nanoplates of lateral sizes 30-100 nm are manipulated by the tip of a scanning tunneling microscope at room temperature. In situ annealing is applied afterward to weld contacting nanoplates without atomic defects at the interface. This technique can be generalized to any van der Waals interfaces with anisotropic lubricity and is highly promising for the construction of complex quantum devices, such as field effect transistors, quantum interference devices, lateral tunneling junctions, and solid-state qubits.

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