Gate leakage mechanisms of the AlGaN/GaN HEMT with fluorinated graphene passivation

钝化 高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 肖特基势垒 泄漏(经济) 肖特基二极管 晶体管 纳米技术 电气工程 图层(电子) 二极管 工程类 宏观经济学 经济 电压
作者
Xiaoyu Ding,Liang Song,Guohao Yu,Yong Cai,Sun Yuhua,Bingliang Zhang,Bingliang Zhang,Zhongkai Du,Zhongming Zeng,Xinping Zhang,Baoshun Zhang,Baoshun Zhang
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:162: 107502-107502 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2023.107502
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