Improved ISPP scheme for narrow threshold voltage distribution in 3-D NAND flash memory

与非门 阈值电压 闪光灯(摄影) 计算机科学 闪存 电压 计算机硬件 还原(数学) 电子工程 国家(计算机科学) 并行计算 算法 逻辑门 电气工程 数学 物理 工程类 光学 晶体管 几何学
作者
Giho Yang,Chanyang Park,Kihoon Nam,Donghyun Kim,Min Sang Park,Rock‐Hyun Baek
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:202: 108607-108607 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.sse.2023.108607
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