Bias-Dependent Highly Anisotropic Photoresponse of a Non-d 0 Ferroelectric NbOCl 2 Monolayer

铁电性 材料科学 极化(电化学) 各向异性 电场 光电子学 单层 凝聚态物理 极地的 离子键合 密度泛函理论 桥接(联网) 电极 带隙 极化密度 电子能带结构 形式主义(音乐) 纳米技术 纳米尺度
作者
Qilong Cui,Shaowen Xu,Shaowen Xu,Shujuan Xu,Shujuan Xu,Xianbo Chenwei,Fanhao Jia,Ruixue Li,Gaofeng Xu,Yuan Li
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:25 (51): 17702-17707
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.5c04667
摘要

NbOCl2 is an emerging 2D ferroelectric with unique potential in designing multifunctional optoelectronics. Here, we carried out a density functional theory study combined with non-equilibrium Green’s function formalism for the NbOCl2 monolayer, aiming to understand its non-d0 in-plane ferroelectricity and the bias-dependent highly anisotropic photoresponse. Dual-mode pseudo-Jahn–Teller distortions, comprising a Peierls-like mode and a ferroelectric mode, induce large band gap opening and predominantly ionic spontaneous polarization, respectively. Under the external bias, the polar direction (Nb–O–Nb) photoresponse is universally enhanced and exhibits a notable offset. In contrast, the nonpolar direction (Nb–Cl–Nb) demonstrates a distinct field-dependent behavior: an initial enhancement at low fields followed by suppression at higher fields, attributable to electrode state misalignment. Our work demonstrates NbOCl2 as a foundational system for the design of next-generation optoelectronic devices that harness large in-plane electric polarization in layered ferroelectric semiconductors.
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