SiC power MOSFETs performance, robustness and technology maturity

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作者
Alberto Castellazzi,Asad Fayyaz,G. Romano,Li Yang,Michele Riccio,Andrea Irace
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:58: 164-176 被引量:101
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2015.12.034

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