The pulse Sn-assisted growth promotes the preparation of high-quality single-crystal ε-Ga2O3 films using MOCVD technology.

材料科学 金属有机气相外延 单晶 直拉法 光电子学 纳米技术 结晶学 兴奋剂 外延 化学 图层(电子)
作者
Long Wang,Yao Wang,Qian Feng,Yachao Zhang,Jincheng Zhang,Yue Hao
出处
期刊:Ceramics International [Elsevier BV]
标识
DOI:10.1016/j.ceramint.2024.11.483

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