ON THE MICROWAVE LOW TEMPERATURE ANALYSIS BEHAVIOUR OF HEMTs

R6sum6 -Le colnportement du HEMT en regime statique et hyperfrequence est 6tudi6 A basse tempkrature.Lvinfluence du piegeage des dlectrons est analys6 l'aide de procddures sp6cifiques de mesure de la capacite de grille et la resistance drain-source.Ltutilisation d'une structure appropri6e permet de supprimer les effets parasites telle que la degradation des caract6ristiques I-V.La transconductance microonde et la frequence de coupure sont alors adlior6es ; ces resultats sont valid& par une silnulation numerique du composant.