Ferroelectric HZO/Al2O3 stacked films with enhanced fatigue resistance for FeFET memory devices

材料科学 铁电性 光电子学 矫顽力 四方晶系 场效应晶体管 非易失性存储器 极化(电化学) 晶体管 泄漏(经济) 薄膜 兴奋剂 超晶格 欧姆接触 电介质 半导体 正交晶系 相(物质) 反射减退 纳米技术
作者
Yan Zhang,Xinyuan Wang,Dao Wang,Yuanzhen Meng,Jiahao Yue,Zihao Lu,Jianing Wang,Yabing Sun,Chunlai Luo,Xubing Lu
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:325: 119163-119163
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2025.119163
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