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作者
Chen-Ting Liao,Mengyao Zhang,Yurong Jiang,Suicai Zhang,Xueping Li,Leiming Yu,Xiaohui Song,Kang Liu,Ding Wang,Jianye Wang,Congxin Xia
出处
期刊：Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2024-12-06
卷期号：17 (4): 2011-2019
被引量：2
摘要
Our device demonstrates the reconfigurable characteristics of the diode under the control of only lateral voltage, and exhibits memristive behavior; the physical mechanism is due to the variation in barrier height caused by the migration of Cu + ions.
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