Ion Gel-Gated IGZO FETs With Al 2 O 3 Interlayer for Low-Leakage Neuromorphic Devices

神经形态工程学泄漏（经济）材料科学离子光电子学纳米技术电子工程电气工程工程物理计算机科学物理工程类人工神经网络人工智能宏观经济学经济量子力学

作者

Suyoung Yang,Kyobin Keum,Jeong‐Wan Jo,Sung Kyu Park,Yong‐Hoon Kim

出处

期刊：IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2025-09-05 卷期号：46 (11): 2046-2049

标识

DOI：10.1109/led.2025.3606510

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