Total Ionizing Dose Effects in Carbon Nanotube Network Transistors

电离辐射 吸收剂量 碳纳米管 辐照 材料科学 晶体管 光电子学 放射化学 纳米管 纳米技术 电气工程 化学 物理 工程类 电压 核物理学
作者
Satoshi Ishii,Daisuke Yabe,S. Koshio,Toshio Hirao,Shotaro Enomoto,Teruaki Konishi,Tsuyoshi Hamano
标识
DOI:10.1109/radecs.2015.7365689
摘要

Total ionizing dose effects on carbon nanotube network transistors were experimentally evaluated using 60Co gamma-ray irradiation up to 50 kGy(Si). The electrical characteristic of the devices after irradiation are reported for future space applications.
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