Band gap tunability in DC sputtered Ni-doped ZnO thin films for wide usage in optoelectronic gadgets

材料科学 兴奋剂 光电子学 薄膜 带隙 纳米技术
作者
Muhammad Amer Saeed Khan,Muhammad Ahmed Khan,Shahid M. Ramay,Muhammad Ali Shar,Shahid Atiq
出处
期刊:Physica B-condensed Matter [Elsevier BV]
卷期号:686: 416076-416076 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.physb.2024.416076

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