退火（玻璃）
钻石
材料科学
制作
透射电子显微镜
阳极连接
光电子学
表征（材料科学）
宽禁带半导体
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医学
病理
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作者
Ayaka Kobayashi,Yasuo Shimizu,Yutaka Ohno,S. W. Kim,Koichi Koyama,Makoto Kasu,Yasuyoshi Nagai,Naoteru Shigekawa,Jianbo Liang
标识
DOI：10.1109/ltb-3d53950.2021.9598383
摘要
Direct bonding of diamond and GaN is successfully fabricated by surface activated bonding method. An 80% contact area of diamond and GaN is obtained. The effect of annealing temperature on the structure properties of the bonding interface is investigated under in-situ annealing in a transmission electron microscope (TEM).
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