K-surfaces of cubic silicon carbide (β-SiC)

The intensity of thermal diffuse scattering from a small volume element along a line passing through a given reciprocal lattice point is proportional to a directional factor K[ABC]hkl. The anisotropy of thermal diffuse scattering is contained in the K[ABC]hkl term. The K-surfaces of β-SiC for the 200 reflection are calculated on the basis of two sets of data which widely differ and plotted on a stereogram. These K-surfaces when compared with experimental thermal diffuse intensity from β-SiC, would help in assessing the relative reliability of these data. It is proposed to make use of the K-surface plot for evaluating the divergence correction and contribution of second order diffuse scattering in the determination of the elastic constants of β-SiC by X-ray diffuse reflection method. Die Intensität der diffusen thermischen Streuung von einem kleinen Volumenelement entlang einer Linie durch einen vorgegebenen Punkt des reziproken Gitters ist proportional einem Richtungsfaktor K[ABC]hkl. Die Anisotropie der diffusen thermischen Streuung ist in dem K[ABC]hkl-Term enthalten. Die K-Flächen von β-SiC werden für die 200-Reflexion auf der Grundlage von zwei Datensätzen, die stark voneinander abweichen, berechnet und in einem Stereogramm aufgetragen. Diese K-Flächen können, wenn sie mit der experimentellen, diffusen thermischen Intensität von β-SiC verglichen werden, bei der Abschätzung der relativen Zuverlässigkeit dieser Werte nützlich sein. Es wird vorgeschlagen, die K-Flächendarstellung für die Berechnung der Divergenzkorrektur und des Beitrages zweiter Ordnung der diffusen Streuung bei der Bestimmung der elastischen Konstanten von β-SiC mit der Methode der diffusen Röntgenstrahlreflexionen zu benutzen.