Analysis of total ionizing dose response of optimized fin geometry workfunction modulated SOI-FinFET

绝缘体上的硅 光电子学 材料科学 吸收剂量 阈值电压 辐射 电离辐射 辐照 阈下传导 MOSFET 电气工程 电压 晶体管 物理 光学 工程类 核物理学
作者
Abhishek Ray,Alok Naugarhiya,Guru Prasad Mishra
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:134: 114549-114549 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114549

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