The effects of CF4 plasma treatment on the performance, gate bias stability, and defect characteristics of low-temperature indium-gallium-tin-oxide thin-film transistors

材料科学 薄膜晶体管 氧化铟锡 等离子体 薄膜 氧化物 光电子学 晶体管 纳米技术 图层(电子) 冶金 电气工程 物理 工程类 量子力学 电压
作者
Dongbhin Kim,Kyeong‐Bae Lee,Junho Noh,DongHyun Kim,Hyunsoo Park,Byoungdeog Choi
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:191: 109381-109381
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2025.109381
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