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标题
A 16-kb Antifuse One-Time-Programmable Memory in 5-nm High-K Metal-Gate FinFET CMOS Featuring Bootstrap High-Voltage Scheme, Read Endpoint Detection, and Pseudodifferential Sensing
相关领域
CMOS芯片 电压 访问时间 栅极电压 电子工程 计算机科学 方案（数学） 逻辑门 电气工程 计算机硬件 工程类 数学 晶体管 数学分析
网址
http://dx.doi.org/10.1109/lssc.2021.3115638
DOI
10.1109/lssc.2021.3115638 doi
其它 期刊：IEEE Solid-State Circuits Letters
作者：Shao-Yu Shaun Chou; Shawn Chen; Jun-Hao Chang; Wan-Hsueh Cheng; Yu-Der Chih; et al
出版日期：2021-01-01
求助人
少年梦 在 2026-09-22 09:09:41 发布自湖北，悬赏 10 积分
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